- накопление неосновных носителей
- minority-carrier storage
Русско-английский словарь по радиоэлектронике. — Руссо. 2005.
Русско-английский словарь по радиоэлектронике. — Руссо. 2005.
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… … Физическая энциклопедия
ПРИБОРЫ С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА — класс многофункциональных интегральных полупроводниковых приборов, содержащих совокупность однотипных элементов, расположенных на единой ПП (как правило, кремниевой) подложке; действие осн. на перемещении заряда, накопленного в элементах,… … Большой энциклопедический политехнический словарь
активная часть базовой области — Часть базовой области, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда может происходить за время пролета их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу … Политехнический терминологический толковый словарь
активная часть базовой области — Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу. [ГОСТ 15133 77] Тематики полупроводниковые… … Справочник технического переводчика